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CV de PhD / R&D, cherche un emploi de Ingénieur en Microélectronique / electronique.enligne-fr.com

electronique.enligne-fr.com : cv

poste d' ingénieur en Microélectronique

Code CV : 52ea2b5e179c1d9f
Date de dernière connexion : 2015-01-30

Mademoiselle As... S...
....
38000 Grenoble
France




Situation actuelle:
Secteur d'activité actuel : Microélectronique
Taille de l'entreprise : + de 1000 salariés
Fonction actuelle : PhD
Nombre d'années à ce poste : 3 à 5 ans
Nombre de personnes sous mes ordres : 0
Salaire annuel : 0.00 EUR
Expérience Totale : 3 à 5 ans
Disponibilité : Disponibilité immédiate
Poste recherché:
Fonctions: R&D, ,
Secteur d'activité: Microélectronique & technologie, ,

Type de contrat souhaité: CDI, CDD, CDD Intermittent, Interim, Agent
Temps de travail souhaité: Temps plein, Temps partiel, En alternance, Journalier, Saisonnier, Travail le WE
Salaire Annuel Minimum / Souhaité: 0.00 / 0.00 EUR
Etudes :
Dernier niveau d'etudes validé avec diplome : Bac+9
Dernier diplome : PhD en Microélectronique
Niveau d'études actuel : Bac+9
Autres Formations :


Mobilité :
Pays : France

Outils / Logiciels / Méthodes maitrisés


Permis VL, PL, véhicules spéciaux


Langues
Français : Courant
Anglais : Langue de travail



CV :

Mademoiselle As... S
38000 Grenoble
France




Docteur en

Microélectronique





|Expériences|

2010/2013Modélisation et caractérisation des effets
électriques (C(V), IG(VG)) dans des architectures Métal/High-k/SiGe:


3 ans chez STMicroelectronics
(Crolles-France), CEA-Leti (Grenoble-France) et IMEP-LAHC (Grenoble- France).


·
Modélisation des caractéristiques
électriques C(V) et du courant de fuiteIG(VG)
dans des transistors MOSFET
bulk et FDSOI.

·
Simulations de l’électrostatique
dans des transistors FET à base de Si,
SiGe et des matériaux III-V InGaAs.

·
Bonnes connaissances de la Physique des semi-conducteurs.

·
Compréhension de l’effet de
l’incorporation du Ge
dans des architectures Métal/High-k/SiGe.

·
Développement des méthodes
d’extraction des paramètres électriques
: VT, VFB, EOT et le travail
de sortie effectif de la grille.

·
Mesures des caractéristiques C(VG)
des SiGe-pMOSFET à canaux courts.

·
Analyses
des caractérisations physicochimiques (SIMS, EELS, STEM, EDX).

·
Maîtrise des procédés de fabrication
de composants CMOS sur la ligne 28nm de l’usine ST-Crolles.

·
Fortes interactions avec
les équipes process integration’
et physical characterization’.

·
Participations à des conférences
internationales et publications dans des journaux scientifiques.






2009/2010



Modélisation et réalisation des transistors à base
de nanofils de Silicium :


Stage de 13 mois en
collaboration avec LTM-CNRS/CEA-Grenoble et LMON Monastir (Tunisie).


·
Modélisation analytique des caractéristiques ID(VG)
des transistors à canal nanofil.

·
Etude du confinement des
porteurs
dans les nanofils : développement de la résolution
de l’équation de Schrödinger 2D en coordonnées cylindriques.

·
Implémentation d’une résolutionauto-cohérente
Poisson-Schrödinger 1D
dans des puits quantiques (GaAs/InAs et SiGe/Si).

·
Développement des étapes
technologiques de réalisation des transistors à canal nanofil de Silicium à
grille face arrière : la photolithographie et le dépôt de
métal
.

·
Etude de la passivation de l’interface nanofil/oxyde natif et optimisation des contacts.


·
Travail en salle blanche.




|
Formation|

2010/2013



Thèse :
Electronique et microélectroniques


·
Institut polytechnique de Grenoble (INP), Grenoble, France.





2009/2010



Master 2 :
Stage de master 2 de 13 mois


·
3 mois au LTM-CNRS/CEA-Grenoble et 10 mois au LMON
Monastir (Tunisie).





2008/2009

Master
1 : Matériaux, Nanostructures, Dispositifs et Systèmes
Microélectroniques


·
Faculté des Sciences de Monastir (Tunisie).

·
Rang : 03/29





2004/2008

Maîtrise de
Sciences Physiques


·
Faculté des Sciences de Monastir (Tunisie).

·
Rang : 02/86




|Compétences informatiques|












Micro-électronique :



·
UTOXPP
(Poisson-Schrödinger Solver for advanced physical modeling of nanometer scale
CMOS devices), TCAD
Sentaurus Synopsys (Sdevice)




Programmation :



·
Maîtrise de Matlab, C, Pascal




Environnement Informatique :



·
Windows, Linux, Word, Excel, PowerPoint, LATEX











|Langues|











Français :



Bilingue





Anglais :



Lu,
écrit, parlé (Participation à
des conférences internationales)





Arabe :



Langue
maternelle

|
Activités diverses|












Emplois :



·
Eté2008 :Cours de Math donnés à des lycéens

·
Hiver 2007 : Cours de Physique-Chimie donnés à des
lycéens

·
Etés 2007 et 2006 : Cours d’Anglais donnés à des lycéens





Centres d’intérêt :



·
Dessin, voyages culturels



·
Fitness, ski, randonnées




Lettre de candidature

Mademoiselle As... S
38000 Grenoble
France

Poste d' ingénieur en Microélectronique


Madame, Monsieur,

Je
suis docteur en microélectronique. Mes travaux de recherche ont été axés sur la
caractérisation et la modélisation des effets électriques (C(V), IG(VG)) dans
des architectures Métal/High-k/SiGe. Après une expérience de 3 ans au
laboratoire de caractérisations électriques du CEA-Leti en collaboration avec
l’équipe de la modélisation de la technologie à STMicroelectronics-Crolles, je
suis particulièrement intéressée par approfondir mes connaissances et mes
compétences dans ce domaine d’expertise dans le cadre de ce contrat.

Dans
le cadre de ce poste, je mettrai à profit mes compétences et mon expérience
pluridisciplinaire de façon à utiliser mon savoir-faire tout en l’enrichissant.
En particulier, j’ai une large connaissance théorique des caractéristiques
électriques C(V) et du courant de fuite IG(VG) par effet
tunneldans les transistors CMOS. Par mon implication dans des
études de recherche et de développement à finalité industrielle mis en place
dans le cadre de ma recherche doctorale, j’ai acquis une maîtrise des procédés
de fabrication de composants CMOS sur la ligne 28nm de l’usine ST-Crolles.

L’ensemble
de mes formations universitaires et mes expériences acquises lors de ma
recherche doctorale ont développé mes connaissances et mes compétences ainsi
que mon goût pour la recherche, le travail d’équipe et la maîtrise de la
technologie. Au delà de ma formation antérieure, c’est mon implication et mon
potentiel que je souhaiterais investir dans ce poste. Je suis très enthousiaste
à l’idée de faire partie de votre équipe et mettre en œuvre toutes mes qualités
techniques et humaines afin de mener à bien ce travail.

Je
souhaiterais que nous puissions nous rencontrer. Vous pourriez ainsi juger de
mes atouts techniques et relationnels. Je me tiens à votre entière disposition
pour tous renseignements complémentaires et je vous remercie d’avance de
l'attention que vous pourrez porter à ma candidature.



Je vous prie d'agréer, madame, monsieur, l'expression de mes salutations les plus
distinguées.

Mademoiselle As... S...


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